Développement de techniques de patterning avancées pour les filières CMOS-sub 10nm

Développement de techniques de patterning avancées pour les filières CMOS-sub 10nm

Pour les technologies CMOS sub-10 nm, l industrie du semi-conducteur est confrontée aux limites de résolution de la lithographie conventionnelle. Différentes techniques alternatives ont été proposées afin de permettre l obtention de motifs avec des dimensions de l ordre de 20 nm. Dans cette thèse, n...

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux : Sarrazin Aurélien (Auteur), Cardinaud Christophe (Directeur de thèse), Possémé Nicolas (Directeur de thèse, Membre du jury), Pimenta-barros Patricia (Directeur de thèse, Membre du jury), Vallée Christophe (Président du jury de soutenance), Dussart Rémi (Rapporteur de la thèse), Le Brizoual Laurent (Rapporteur de la thèse), Chevolleau Thierry (Membre du jury), Cayrefourcq Ian (Membre du jury)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) Le Mans 2008-2021 (Ecole doctorale associée à la thèse), Université Bretagne Loire 2016-2019 (Autre partenaire associé à la thèse), Institut des Matériaux Jean Rouxel Nantes (Laboratoire associé à la thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Développement de techniques de patterning avancées pour les filières CMOS-sub 10nm / Aurélien Sarrazin; sous la direction de Christophe Cardinaud et de Nicolas Possémé et de Patricia Pimenta-barros
Publié : 2017
Accès en ligne : Accès Nantes Université
Note sur l'URL : Accès au texte intégral
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences et technologies de l'information et de la communication : Nantes : 2017
Sujets :
Gravure par plasma
Microélectronique
Copolymères
Spacer patterning
Thèses et écrits académiques
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214 1 |d 2017 
230 |a Données textuelles 
304 |a Titre provenant de l'écran-titre 
314 |a Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) (Le Mans) 
314 |a Partenaire(s) de recherche : Université Bretagne Loire (COMUE), Institut des Matériaux Jean Rouxel (Nantes) (Laboratoire) 
314 |a Autre(s) contribution(s) : Christophe Vallée (Président du jury) ; Nicolas Possémé, Patricia Pimenta-barros, Thierry Chevolleau, Ian Cayrefourcq (Membre(s) du jury) ; Rémi Dussart, Laurent Le Brizoual (Rapporteur(s)) 
328 0 |b Thèse de doctorat  |c Sciences et technologies de l'information et de la communication  |e Nantes  |d 2017 
330 |a Pour les technologies CMOS sub-10 nm, l industrie du semi-conducteur est confrontée aux limites de résolution de la lithographie conventionnelle. Différentes techniques alternatives ont été proposées afin de permettre l obtention de motifs avec des dimensions de l ordre de 20 nm. Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés au spacer patterning et à l autoassemblage dirigé des copolymères à blocs. Nous avons développé une intégration de spacer patterning permettant l obtention de lignes de 20 nm de largeur. Une étude a été menée à partir des matériaux disponibles au CEA-LETI. Ainsi, nous avons étudié les différents enjeux de cette intégration pour les prochains nœuds technologiques. Pour l auto-assemblage dirigé des copolymères à blocs (DSA), un des enjeux concerne la création d un masque avec le retrait d un polymère sélectivement à l autre. Dans le cadre de notre étude sur le PS-b-PMMA, nous nous sommes intéressés au retrait du PMMA sélectivement au PS par gravure plasma. Des chimies par plasma permettant le retrait du PMMA sélectivement au PS pour des motifs cylindriques et lamellaires ont été développées. 
330 |a For sub-10 nm CMOS technologies, the semiconductor industry is facing the limits of conventionnal lithography. Several alternative techniques have been proposed to allow 20 nm patterns. In this thesis, we have proposed to focus on spacer patterning technique and Directed Self-Assembly of block copolymers (DSA). We have developped a spacer patterning integration which allows to pattern 20 nm-wide lines. A study has been carried out with materials available at CEA-LETI. Thus, we have studied the different challenges induced by this integration for the following technologic nodes. Concerning Directed Self-Assembly of block copolymers (DSA) technique, one of the main challenge concerns the mask creation by removing a polymer selectively to another. For our study on PS-b-PMMA, we have studied PMMA removal selectively to PS by plasma etching. Plasma chemistries have been developed for removing PMMA selectively to PS on cylidrical and lamellar patterns. 
337 |a Configuration requise : un logiciel capable de lire un fichier au format : PDF 
541 | |a Development of advanced techniques for patterning sub-10 nm CMOS processes  |z eng 
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