Modélisation de la gravure profonde du silicium en plasmas fluorés : étude du procédé BOSCH simulations et calibration expérimentale

Dans le cadre d une collaboration entre l Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) et STMicroelectronics Tours, cette étude vise à développer un simulateur de gravure du silicium par procédé Bosch. Actuellement utilisé dans le domaine de la microélectronique pour la gravure de vias, le procédé Bosch...

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Auteurs principaux : Le Dain Guillaume (Auteur), Rhallabi Ahmed (Directeur de thèse), Cardinaud Christophe (Directeur de thèse), Hassouni Khaled (Président du jury de soutenance), Yousfi Mohammed physicien (Rapporteur de la thèse), Talneau Anne (Rapporteur de la thèse), Marcos Grégory (Membre du jury), Boufnichel Mohamed (Membre du jury), Roqueta Fabrice (Membre du jury)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) Le Mans 2008-2021 (Ecole doctorale associée à la thèse), Institut des Matériaux Jean Rouxel Nantes (Laboratoire associé à la thèse), Université Bretagne Loire 2016-2019 (Autre partenaire associé à la thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Modélisation de la gravure profonde du silicium en plasmas fluorés : étude du procédé BOSCH : simulations et calibration expérimentale / Guillaume Le Dain; sous la direction de Ahmed Rhallabi et de Christophe Cardinaud
Publié : 2018
Accès en ligne : Accès Nantes Université
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Note de thèse : Thèse de doctorat : Génie des procédés : Nantes : 2018
Sujets :