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Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS
L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (<100°C) et basse presssion (2mTorr) sur des substrats de s...
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| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS / Gaël Borvon; sous la dir. de Agnès Granier et Antoine Goullet |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2003 |
| Description matérielle : | 265 p. |
| Note de thèse : | Thèse doctorat : Électronique & génie électrique : Nantes : 2003 |
| Disponibilité : | Publication autorisée par le jury |
| Sujets : |
| Résumé : | L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (<100°C) et basse presssion (2mTorr) sur des substrats de silicium à partir d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO) pur ou mélangé avec de l'oxygène ou du méthane. En multipliant les diagnostics de caractérisations du plasma et des couches minces, nous avons cherché à mesurer des paramètres plasmas cruciaux pour le dépôt, approfondir la connaissance des structures et des propriétés des films déposés et optimiser les caractéristiques électriques... |
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| Bibliographie : | Bibliogr. p. 251-265 |