Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS

Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS

L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (<100°C) et basse presssion (2mTorr) sur des substrats de s...

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Bibliographic Details
Main Author : Borvon Gaël (Auteur)
Corporate Authors : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), École doctorale sciences et technologies de l'information et des matériaux Nantes (Ecole doctorale associée à la thèse)
Other Authors : Granier Agnès (Directeur de thèse), Goullet Antoine (Directeur de thèse)
Format : Thesis
Language : français
Title statement : Élaboration par plasma d'hexaméthyldisiloxane de couches minces à faible constante diélectrique pour applications aux interconnexions en CMOS / Gaël Borvon; sous la dir. de Agnès Granier et Antoine Goullet
Published : [S.l.] : [s.n.] , 2003
Physical Description : 265 p.
Note de thèse : Thèse doctorat : Électronique & génie électrique : Nantes : 2003
Availability : Publication autorisée par le jury
Subjects :
Couches minces > Thèses et écrits académiques
Permittivité > Thèses et écrits académiques
Description
Summary : L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (<100°C) et basse presssion (2mTorr) sur des substrats de silicium à partir d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO) pur ou mélangé avec de l'oxygène ou du méthane. En multipliant les diagnostics de caractérisations du plasma et des couches minces, nous avons cherché à mesurer des paramètres plasmas cruciaux pour le dépôt, approfondir la connaissance des structures et des propriétés des films déposés et optimiser les caractéristiques électriques...
Bibliography : Bibliogr. p. 251-265