Affichage MARC: Etude de la toppographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium : oxydation du silicium sous faible pression d'oxygène

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Détails bibliographiques
Auteur principal :	Pilorget Loïc
Format :	Thèse ou mémoire
Langue :	français
Titre complet :	Etude de la toppographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium : oxydation du silicium sous faible pression d'oxygène
Publié :	1984
Description matérielle :	125 p
Note de thèse :	Th. : Sci. : Nantes : 1984 ; 3e cycle Physique des solides (Matériaux)
Sujets :	Silicium (microélectronique) Oxyde de silicium Sonde de Kelvin Microscopie électronique à miroir Spectrométrie Auger Silicium, oxydation


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