Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium

Ce travail est consacré au dépôt basse température de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats de silicium et d'alliages silicium-germanium (SiGe) dans un réacteur radiofréquence (13.56 MHz) hélicon fonctionnant à basse pression. Les couches de Si02, proches de la silice thermi...

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Auteurs principaux : Goregho Didier (Auteur), Turban Guy (Directeur de thèse), Danto Yves (Président du jury de soutenance), Goullet Antoine (Membre du jury), Granier Agnès (Membre du jury), Landesman Jean-Pierre (Membre du jury), Carchano Hervé (Rapporteur de la thèse), Meyer Françoise (Rapporteur de la thèse)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), École polytechnique de l'Université de Nantes (Organisme de soutenance), École doctorale Sciences et technologies de l'information et mathématiques Nantes (Organisme de soutenance), Institut des Matériaux Jean Rouxel Nantes (Ecole doctorale associée à la thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Propriétés structurales et électriques de couches d oxyde de silicium élaborées par plasma basse température d oxygène/tétraethoxysilane sur des alliages silicium-germanium / Didier Goghero; sous la direction de Guy Turban
Publié : 2001
Description matérielle : 1 vol. (178 p.)
Note de thèse : Thèse de doctorat : Microélectronique, électronique et génie électrique : Nantes : 2001
Sujets :
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BU Sciences

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