NantilusCaractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs
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| Main Author : | |
|---|---|
| Format : | Thesis |
| Language : | français |
| Title statement : | Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs |
| Published : |
1994 |
| Physical Description : | 227 f. |
| Note de thèse : | Th. : Sci. : Nantes : 1994 ; 2015 F.D. Sc. des matériaux, Spéc. Microélectronique |
| Subjects : |
BU Sciences
| Location | Call Number | Loan type | Status |
|---|---|---|---|
| Magasin aérotherme | 94 NANT 2015 | Empruntable | Available |
| Magasin aérotherme | 94 NANT 2015 | Exclu du prêt | Disponible |