Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal : Campo Alain
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs
Publié : 1994
Description matérielle : 227 f.
Note de thèse : Th. : Sci. : Nantes : 1994 ; 2015
F.D. Sc. des matériaux, Spéc. Microélectronique
Sujets :

BU Sciences

Informations d'exemplaires de BU Sciences
Cote Prêt Statut
Magasin aérotherme 94 NANT 2015 Empruntable Disponible
Magasin aérotherme 94 NANT 2015 Exclu du prêt Disponible