NantilusCaractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs
Enregistré dans:
| Auteur principal : | |
|---|---|
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Caractérisation par spectrométrie de photoélectrons des étapes technologiques de réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs et en particulier de la gravure ionique réactive du contact ohmique GeMoW sur GaAs |
| Publié : |
1994 |
| Description matérielle : | 227 f. |
| Note de thèse : | Th. : Sci. : Nantes : 1994 ; 2015 F.D. Sc. des matériaux, Spéc. Microélectronique |
| Sujets : |
BU Sciences
| | Cote | Prêt | Statut |
|---|---|---|---|
| Magasin aérotherme | 94 NANT 2015 | Empruntable | Disponible |
| Magasin aérotherme | 94 NANT 2015 | Exclu du prêt | Disponible |