EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP

EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP

CETTE THESE RAPPORTE UN TRAVAIL SUR L'OPTIMISATION DE LA LOCALISATION DE L'EPITAXIE DANS LE PLAN DU SUBSTRAT PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC). CETTE ETUDE EST MENEE POUR LES SYSTEMES DE SEMI-CONDUCTEURS III-V ASSOCIES AUX SUBSTRATS GAAS ET INP. L'EPITAXIE PAR...

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Auteur principal : Legay Philippe (Auteur)
Collectivité auteur : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance)
Autres auteurs : Turban Guy (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP / PHILIPPE LEGAY; SOUS LA DIRECTION DE G. TURBAN
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1995
Description matérielle : 230 P.
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences appliquées. Physique : Nantes : 1995
Sujets :
PHYSIQUE/SCIENCES APPLIQUEES : ETAT CONDENSE : PROPRIETES MECANIQUES ET THERMIQUES/ELECTRONIQUE
ETUDE EXPERIMENTALE/CONDENSATION FAISCEAU CHIMIQUE/EPITAXIE/SEMICONDUCTEUR III-V/CROISSANCE CRISTALLINE/TRANSISTOR BIPOLAIRE/HETEROJONCTION/GALLIUM PHOSPHURE/NK/INDIUM PHOSPHURE/NK/GALLIUM ARSENIURE/NK/INDIUM ARSENIURE/NK/PHOSPHOARSENIURE/NA/COMPOSE TERNAIRE/COMPOSE QUATERNAIRE/COMPOSE MINERAL/COMPOSE BINAIRE/MICROELECTRONIQUE/OPTOELECTRONIQUE/SUBSTRAT GAAS/SUBSTRAT INP/GAAS/GAINP/INP/GAINAS/GAINASP/AS GA/GA IN P/IN P/AS GA IN/AS GA IN P/6855B/PAC/8530/PAC
EXPERIMENTAL STUDY/CHEMICAL BEAM CONDENSATION/EPITAXY/III-V SEMICONDUCTORS/CRYSTAL GROWTH/BIPOLAR TRANSISTORS/HETEROJUNCTIONS/GALLIUM PHOSPHIDES/NK/INDIUM PHOSPHIDES/NK/GALLIUM ARSENIDES/NK/INDIUM ARSENIDES/NK/ARSENIDES PHOSPHIDES/NA/TERNARY COMPOUNDS/QUATERNARY COMPOUNDS/INORGANIC COMPOUNDS/BINARY COMPOUNDS/MICROELECTRONICS/OPTOELECTRONICS

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Magasin aérotherme 95 NANT 2014 Empruntable Disponible
Magasin aérotherme 95 NANT 2014 Exclu du prêt Disponible