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REALISATION ET ANALYSE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE TUNGSTENE UTILISEES COMME BARRIERE ANTIDIFFUSION DANS LES CIRCUITS ELECTRONIQUES
CE TRAVAIL A POUR OBJET LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE TUNGSTENE PAR PULVERISATION DIODE CONTINUE. AU COURS DE CETTE ETUDE NOUS AVONS EXAMINE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA DECHARGE SUR LES PROPRIETES DES COUCHES DEPOSEES. L'EMPLOI DE DIV...
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| Auteur principal : | |
|---|---|
| Collectivité auteur : | |
| Autres auteurs : | |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | REALISATION ET ANALYSE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE TUNGSTENE UTILISEES COMME BARRIERE ANTIDIFFUSION DANS LES CIRCUITS ELECTRONIQUES / LOUBNA BOUKHRIS; SOUS LA DIRECTION DE JEAN MARC POITEVIN |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1998 |
| Description matérielle : | 200 P. |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Sciences appliquées : Nantes : 1998 |
| Sujets : |
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| 330 | |a CE TRAVAIL A POUR OBJET LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE TUNGSTENE PAR PULVERISATION DIODE CONTINUE. AU COURS DE CETTE ETUDE NOUS AVONS EXAMINE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA DECHARGE SUR LES PROPRIETES DES COUCHES DEPOSEES. L'EMPLOI DE DIVERSES METHODES D'ANALYSES, XPS, RBS ET DIFFRACTION DE RAYONS X A PERMIS D'IDENTIFIER LES DIFFERENTS PRODUITS OBTENUS NOTAMMENT : - LEURS STRUCTURES (LES PHASES PRESENTES, ORIENTATIONS PREFERENTIELLES, TAILLE DES GRAINS ET CONTRAINTES) - LEURS COMPOSITIONS (NATURE ET LIAISON DES ESPECES CONSTITUANT LA COUCHE). L'ETUDE DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE DES COUCHES A ETE CORRELEE A LA COMPOSITION ET A LA MICROSTRUCTURE DES FILMS. LE COMPORTEMENT DES FILMS VIS A VIS DU RECUIT THERMIQUE ET LES PERFORMANCES DE CES FILMS EN TANT QUE BARRIERES ANTI-DIFFUSION ENTRE LE SUBSTRAT (SI) ET LE MATERIAU DE METALLISATION (AL OU CU) ONT ETE EGALEMENT ETUDIES. CE TRAVAIL A PERMIS DE DEFINIR LES CONDITIONS POUR OBTENIR LES FILMS LES PLUS PERFORMANTS ET PERMETTANT UN BON RECOUVREMENT DE MARCHE GRAVEES SUR LE SILICIUM D'UN FACTEUR D'ASPECT DE L'ORDRE DE 0,86. | ||
| 541 | | | |a REALISATION AND ANALYSIS OF THE NITRIDE TUNGSTEN PROPERTIES USED AS ANTIDIFFUSION BARRIER IN ELECTRONIC CIRCUITS |z eng | |
| 610 | 1 | |a SCIENCES APPLIQUEES : ELECTRONIQUE | |
| 610 | 2 | |a METALLISATION/SILICIUM/CUIVRE/ALUMINIUM/FX/BARRIERE DIFFUSION/TUNGSTENE NITRURE/NA/COMPOSE BINAIRE/COUCHE MINCE/PULVERISATION REACTIVE/RECUIT THERMIQUE/SPECTROMETRIE AUGER/SPECTROMETRIE RX/SPECTROMETRIE PHOTOELECTRON/CONDUCTIVITE ELECTRIQUE/FABRICATION MICROELECTRONIQUE/W2N/N W/RECOUVREMENT MARCHE | |
| 610 | 2 | |a METALLIZING/SILICON/NC/COPPER/NC/ALUMINIUM/NC/FR/FX/DIFFUSION BARRIER/TUNGSTEN NITRIDES/NC/NA/BINARY COMPOUND/THIN FILM/REACTIVE SPUTTERING/THERMAL ANNEALING/AUGER ELECTRON SPECTROMETRY/X RAY SPECTROMETRY/PHOTOELECTRON SPECTROMETRY/ELECTRICAL CONDUCTIVITY/MICROELECTRONIC FABRICATION | |
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