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Gettering defects in semiconductors
Gettering Defects in Semiconductors fulfills three basic purposes: to systematize the experience and research in exploiting various gettering techniques in microelectronics and nanoelectronics; to identify new directions in research, particularly to enhance the perspective of professionals and young...
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| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Format : | Livre |
| Langue : | anglais |
| Titre complet : | Gettering defects in semiconductors / by Victor A. Perevoschikov, Vladimir D. Skoupov |
| Édition : | 1st ed. 2005. |
| Publié : |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
, [20..] Cham : Springer Nature |
| Collection : | Springer series in advanced microelectronics (Internet) ; 19 |
| Accès en ligne : |
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| Contenu : | Basic technological processes and defect formation in the components of device structures. Effects of defects on electrophysical and functional parameters in semiconducting structures and devices. Techniques for high-temperature gettering. Physical foundations for low-temperature gettering techniques |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Autre format:
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