Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2/Si(100), SiOxNy/Si(100)

Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2/Si(100), SiOxNy/Si(100)

DES FILMS MINCES (20-150 A) DE SIO#2, DE SI#3N#4 ET D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIO#XN#Y ONT ETE ETUDIES PAR TROIS TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES: LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS, XPS, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A HAUTE RESOLUTION, TEM, ET L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE. LES...

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Détails bibliographiques
Auteur principal : Saoudi Rachida (Auteur)
Collectivité auteur : Université Claude Bernard Lyon 1971-.... (Organisme de soutenance)
Autres auteurs : Tousset Jean (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Propriétés physicochimiques de films minces d'oxydes et d'oxynitrures de silicium et structure microscopique des interfaces SiO2/Si(100), SiOxNy/Si(100) / par Rachida Saoudi; sous la direction de J. Tousset
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1990
Description matérielle : 1 vol. (pagination multiple [circa 150] p.)
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences : Lyon 1 : 1990
Sujets :
Silicium > Couches minces > Thèses et écrits académiques
Interfaces (sciences physiques) > Thèses et écrits académiques
Ellipsométrie > Thèses et écrits académiques
Nitruration > Thèses et écrits académiques
PHYSIQUE : ETAT CONDENSE : PROPRIETES MECANIQUES ET THERMIQUES

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