Modélisation complète de la gravure profonde de silicium par procédé cryogénique à base de plasma SF 6 /O 2 /Ar

La gravure sèche par plasma est considérée comme une des techniques génériques qui a contribué à la miniaturisation des circuits intégrés. Dans cette étude, nous avons développé un simulateur multiéchelle de gravure profonde du silicium par procédé cryogénique. Ce simulateur est composé de quatre mo...

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux : Haidar Yehya (Auteur), Rhallabi Ahmed (Directeur de thèse), Taher Fadia (Directeur de thèse), Mokrani Arezki (Directeur de thèse), Zaouk Doumit (Directeur de thèse), Talneau Anne (Président du jury de soutenance), Herro Ziad (Membre du jury), Yousfi Mohammed physicien (Rapporteur de la thèse)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), Université Libanaise (Organisme de soutenance), École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) Le Mans 2008-2021 (Organisme de soutenance), Institut des Matériaux Jean Rouxel Nantes (Ecole doctorale associée à la thèse)
Format : Livre
Langue : français
Titre complet : Modélisation complète de la gravure profonde de silicium par procédé cryogénique à base de plasma SF 6 /O 2 /Ar / Yehya Haidar; sous la direction de Ahmed Rhallabi ; co-directeur Fadia Taher ; co-encadrants Arezki Mokrani, Doumit Zaouk
Publié : Nantes : Université de Nantes , 2016
Description matérielle : 1 vol. (137 p.)
Accès en ligne : Accès Nantes Université
Note de thèse : Thèse de doctorat : Matériaux Plasma : Nantes : 2016
Thèse de doctorat : Matériaux Plasma : Université Libanaise : 2016
Disponibilité : Publication autorisée par le jury
Sujets :