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Introduction à la physique de la matière condensée : propriétés électroniques
La 4e de couverture indique : "La physique de la matière condensée, domaine qui étudie la structure et les propriétés des phases organisées de la matière de l'échelle microscopique à l'échelle macroscopique, est l'un des champs de la physique les plus actifs aujourd'hui. À t...
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| Auteur principal : | |
|---|---|
| Format : | Manuel |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Introduction à la physique de la matière condensée : propriétés électroniques / Adeline Crépieux,... |
| Publié : |
Malakoff :
Dunod
, DL 2019 |
| Description matérielle : | 1 vol. (XII-276 p.) |
| Collection : | Sciences sup |
| Sujets : |
| LEADER | 07941cam a2200445 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | PPN233879323 | ||
| 003 | http://www.sudoc.fr/233879323 | ||
| 005 | 20231124055600.0 | ||
| 010 | |a 978-2-10-078944-3 |b br. | ||
| 035 | |a (OCoLC)1085246645 | ||
| 073 | 1 | |a 9782100789443 | |
| 100 | |a 20190208h20192019k y0frey0103 ba | ||
| 101 | 0 | |a fre | |
| 102 | |a FR | ||
| 105 | |a a aj 001yy | ||
| 106 | |a r | ||
| 181 | |6 z01 |c txt |2 rdacontent | ||
| 181 | 1 | |6 z01 |a i# |b xxxe## | |
| 182 | |6 z01 |c n |2 rdamedia | ||
| 182 | 1 | |6 z01 |a n | |
| 183 | 1 | |6 z01 |a nga |2 rdacarrier | |
| 200 | 1 | |a Introduction à la physique de la matière condensée |e propriétés électroniques |f Adeline Crépieux,... | |
| 210 | |a Malakoff |c Dunod |d DL 2019 | ||
| 215 | |a 1 vol. (XII-276 p.) |c ill., couv. ill. en coul. |d 24 cm | ||
| 225 | 2 | |a Sciences sup |e physique | |
| 312 | |a La couv. porte en plus : "cours, exercices d'application corrigés" | ||
| 320 | |a Bibliogr. p. 272-273. Index | ||
| 330 | |a La 4e de couverture indique : "La physique de la matière condensée, domaine qui étudie la structure et les propriétés des phases organisées de la matière de l'échelle microscopique à l'échelle macroscopique, est l'un des champs de la physique les plus actifs aujourd'hui. À travers des exemples concrets de problèmes physiques actuels, tels que les propriétés du graphène et des nanotubes de carbone ou le transport dans les nanostructures et les isolants topologiques, cet ouvrage rappelle les bases de ce domaine, de la théorie des gaz d'électrons aux propriétés des semi-conducteurs, des matériaux magnétiques et des supraconducteurs, en passant par la théorie des bandes d'énergie." | ||
| 333 | |a Étudiants en Licence 3 ou Master de physique, élèves en écoles d'ingénieur | ||
| 359 | 2 | |p P. VII |c Avant-propos |p P. VIII |c Remerciements |p P. IX |c Notations utilisées |p P. 1 |b Chapitre 1 Gaz d'électrons |p P. 1 |c 1. Grand hamiltonien |p P. 3 |c 2. Approximation de Born-Oppenheimer |p P. 5 |c 3. Electrons libres |p P. 5 |d 3.1. État fondamental des électrons dans une boîte |p P. 7 |d 3.2. Spectre d'énergie discret |p P. 8 |d 3.3. Densité d'électrons, énergie et surface de Fermi |p P. 10 |c 4. Densité d'états |p P. 12 |c 5. Chaleur spécifique |p P. 12 |d 5.1. Statistique de Fermi-Dirac |p P. 13 |d 5.2. Énergie interne à température nulle |p P. 13 |d 5.3. Énergie interne à température non nulle |p P. 17 |c 6. Conclusion |p P. 27 |b Chapitre 2 Rôle de la structure périodique |p P. 27 |c 1. Rappels de cristallographie |p P. 27 |d 1.1. Définition d'un cristal |p P. 28 |d 1.2. Maille élémentaire et maille primitive |p P. 29 |d 1.3. Maille primitive de Wigner-Seitz |p P. 29 |d 1.4. Réseau de Bravais |p P. 32 |d 1.5. Plan réticulaire, indice de Miller et symétrie |p P. 33 |c 2. Électrons dans un potentiel périodique |p P. 33 |d 2.1. Réseau réciproque |p P. 35 |d 2.2. Théorème de Bloch |p P. 38 |d 2.3. Zones de Brillouin |p P. 39 |d 2.4. Repliement dans la première zone de Brillouin |p P. 41 |d 2.5. Surface de Fermi et remplissage de la bande d'énergie |p P. 57 |b Chapitre 3 Théorie des bandes |p P. 57 |c 1. Approximation des électrons presque libres |p P. 58 |d 1.1. Perturbations stationnaires appliquées aux électrons dans un cristal |p P. 59 |d 1.2. Correction loin des dégénérescences |p P. 60 |d 1.3. Correction à proximité des dégénérescences |p P. 62 |d 1.4. Application : niveau d'énergie quatre fois dégénérés |p P. 65 |c 2. Approximation des liaisons fortes |p P. 65 |d 2.1. Combinaison linéaire d'orbitales atomiques |p P. 68 |d 2.2. Application : chaîne d'atomes |p P. 69 |d 2.3. Application : réseau cubique centré |p P. 71 |d 2.4. Structure de bande du graphène |p P. 76 |c 3. Tenseur de masse effective |p P. 76 |d 3.1. Définition |p P. 77 |d 3.2. Tenseur isotrope/anisotrope |p P. 99 |b Chapitre 4 Semiconducteurs |p P. 99 |c 1. Gap d'énergie et fraction d'électrons excités |p P. 102 |c 2. Semiconducteur homogène |p P. 102 |d 2.1. Densités de porteurs |p P. 105 |d 2.2. Densité intrinsèque |p P. 105 |d 2.3. Semiconducteur intrinsèque (pur) |p P. 107 |d 2.4. Semiconducteur extrinsèque (dopé) |p P. 113 |c 3. Semiconducteur inhomogène |p P. 114 |d 3.1. Densité de charge |p P. 115 |d 3.2. Jonction p-n |p P. 118 |c 4. Conductivité d'un semiconducteur |p P. 133 |b Chapitre 5 Transport semi-classique |p P. 133 |c 1. Dynamique des électrons de Bloch |p P. 133 |d 1.1. Approche semi-classique |p P. 134 |d 1.2. Vitesse de groupe des ondes de Bloch |p P. 136 |d 1.3. Accélération et tenseur de masse effective |p P. 138 |d 1.4. Oscillations de Bloch |p P. 139 |c 2. Équation de Boltzmann |p P. 139 |d 2.1. Fonction de distribution hors-équilibre |p P. 140 |d 2.2. Théorème de Liouville et diffusion par les impuretés |p P. 141 |d 2.3. Approximation du temps de relaxation |p P. 155 |b Chapitre 6 Transport quantique |p P. 155 |c 1. Systèmes nanoscopiques |p P. 156 |c 2. Formule de Landauer |p P. 156 |d 2.1. Courant électrique |p P. 159 |d 2.2. Calcul en seconde quantification pour une boîte quantique |p P. 161 |d 2.3. Application de la formule de Landauer |p P. 164 |d 2.4. Courant de chaleur |p P. 165 |d 2.5. Réponse linéaire |p P. 168 |c 3. Fluctuations de courant |p P. 168 |d 3.1. Définition |p P. 169 |d 3.2. Fluctuations dans une jonction tunnel |p P. 171 |d 3.3. Fluctuations dans une boîte quantique |p P. 172 |d 3.4. Théorème de fluctuation-dissipation |p P. 183 |b Chapitre 7 Matériaux magnétiques |p P. 183 |c 1. Classification |p P. 184 |c 2. Magnétisme localisé |p P. 184 |d 2.1. Modèle de Heisenberg |p P. 186 |d 2.2. Anisotropie et domaines magnétiques |p P. 188 |d 2.3. Approximation du champ moyen |p P. 193 |c 3. Magnétisme itinérant |p P. 193 |d 3.1. Hamiltonien de Hubbard |p P. 195 |d 3.2. Critère de Stoner |p P. 197 |c 4. Susceptibilité magnétique |p P. 211 |b Chapitre 8 Supraconducteurs |p P. 211 |c 1. Théorie BCS (Bardeen-Cooper-Schrieffer) |p P. 211 |d 1.1. Introduction |p P. 212 |d 1.2. Paires de Cooper |p P. 213 |d 1.3. Hamiltonien BCS en seconde quantification |p P. 214 |c 2. Description classique |p P. 214 |d 2.1. Équations de London |p P. 216 |d 2.2. Application : supraconducteur semi-infini |p P. 217 |d 2.3. Classification des supraconducteurs conventionnels |p P. 218 |c 3. Théorique de Ginzburg-Landau |p P. 218 |d 3.1. Courant supraconducteur |p P. 220 |d 3.2. Énergie libre |p P. 221 |c 4. Effet Josephson |p P. 221 |d 4.1. Jonction SIS (supraconducteur/isolant/supraconducteur) |p P. 224 |d 4.2. Jonction SNS (supraconducteur/métal normal/supraconducteur) |p P. 235 |b Chapitre 9 Isolants topologiques |p P. 235 |c 1. États de bord et états de surface |p P. 236 |d 1.1. États de bord en dimension 2 |p P. 238 |d 1.2. États de surface en dimension 3 |p P. 240 |d 1.3. Fermeture du gap |p P. 241 |c 2. Invariants topologiques |p P. 241 |d 2.1. Connexion de Berry |p P. 241 |d 2.2. Courbure de Berry |p P. 242 |d 2.3. Phases dynamique et géométrique |p P. 242 |d 2.4. Nombre de Chern |p P. 243 |d 2.5. Invariant topologique Z2 |p P. 243 |d 2.6. Vitesse anormale et conductivité de Hall |p P. 245 |c 3. Hamiltonien de Dirac |p P. 257 |b Annexe A Constantes utilisées |p P. 258 |b Annexe B Opérateurs différentiels |p P. 258 |c 1. Coordonnées cartésiennes {x, y, z} |p P. 258 |c 2. Coordonnées sphériques {r, ?, f} |p P. 260 |b Annexe C Modèle de Drude |p P. 262 |b Annexe D Théorie des perturbations stationnaires |p P. 265 |b Annexe E Théorie des perturbations dépendantes du temps |p P. 265 |c 1. Opérateur d'évolution |p P. 266 |c 2. Règle d'or de Fermi |p P. 268 |b Annexe F Formalisme de la seconde quantification pour les fermions |p P. 268 |c 1. Opérateurs de création et d'annihilation |p P. 269 |c 2. Relation d'anticommutation |p P. 270 |c 3. Hamiltonien en seconde quantification |p P. 272 |c Bibliographie |p P. 274 |c Index | |
| 410 | | | |0 013680803 |t Sciences sup |x 1636-2217 | |
| 606 | |3 PPN027578534 |a Matière condensée |3 PPN03020934X |x Manuels d'enseignement supérieur |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN027578534 |a Matière condensée |3 PPN027790517 |x Problèmes et exercices |2 rameau | ||
| 676 | |a 530.41 | ||
| 700 | 1 | |3 PPN14039964X |a Crépieux |b Adeline |f 19..-.... |c physicienne |4 070 | |
| 801 | 3 | |a FR |b Electre |c 20190219 |g AFNOR | |
| 801 | 3 | |a FR |b Abes |c 20190516 |g AFNOR | |
| 979 | |a SCI | ||
| 930 | |5 441092104:638070694 |b 441092104 |j u | ||
| 998 | |a 838485 | ||