Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM)

Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM)

Les composés de la famille des spinelles lacunaires AM4X8 (A = Ga, Ge ; M = V, Ta, Nb ; X = S, Se) sont des isolants de Mott à faible gap dans lesquels l'application de pulses électriques induit une chute de résistance électrique. Cette "transition résistive" non-volatile et réversibl...

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Bibliographic Details
Main Author : Souchier Émeline (Auteur)
Corporate Authors : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), Université de Nantes Faculté des sciences et des techniques (Autre partenaire associé à la thèse), École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) Le Mans 2008-2021 (Organisme de soutenance)
Other Authors : Besland Marie-Paule (Directeur de thèse), Janod Étienne (Directeur de thèse), Cario Laurent (Directeur de thèse), Corraze Benoît (Directeur de thèse)
Format : Thesis
Language : français
Title statement : Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM) / Émeline Souchier; sous la direction de Marie-Paule Besland; co-directeur Étienne Janod; co-encadrants Laurent Cario et Benoît Corraze
Published : [S.l.] : [s.n.] , 2010
Physical Description : 1 vol. (176 f.)
Note de thèse : Thèse de doctorat : Sciences des matériaux, plasma et couches minces : Nantes : 2010
Subjects :
Couches minces > Thèses et écrits académiques
Isolants Mott > Thèses et écrits académiques
Magnétrons > Thèses et écrits académiques
Ordinateurs > Mémoires à accès sélectif > Thèses et écrits académiques
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