Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM)
Les composés de la famille des spinelles lacunaires AM4X8 (A = Ga, Ge ; M = V, Ta, Nb ; X = S, Se) sont des isolants de Mott à faible gap dans lesquels l'application de pulses électriques induit une chute de résistance électrique. Cette "transition résistive" non-volatile et réversibl...
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Format : | Thesis |
Language : | français |
Title statement : | Élaboration de couches minces de GaV4S8 par pulvérisation magnétron : du matériau au premier dispositif pour mémoire à transition résistive (RRAM) / Émeline Souchier; sous la direction de Marie-Paule Besland; co-directeur Étienne Janod; co-encadrants Laurent Cario et Benoît Corraze |
Published : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2010 |
Physical Description : | 1 vol. (176 f.) |
Note de thèse : | Thèse de doctorat : Sciences des matériaux, plasma et couches minces : Nantes : 2010 |
Subjects : |
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