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CCD image sensors in deep-ultraviolet : degradation behavior and damage mechanisms
As the deep-ultraviolet (DUV) laser technology continues to mature, an increasing number of industrial and manufacturing applications are emerging. For example, the new generation of semiconductor inspection systems is being pushed to image at increasingly shorter DUV wavelengths to facilitate inspe...
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| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Format : | Livre |
| Langue : | anglais |
| Titre complet : | CCD image sensors in deep-ultraviolet : degradation behavior and damage mechanisms / by Flora M. Li, Arokia Nathan |
| Édition : | 1st ed. 2005. |
| Publié : |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg
, [20..] Cham : Springer Nature |
| Collection : | Microtechnology and MEMS (Internet) |
| Accès en ligne : |
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| Contenu : | Overview of CCD. CCD Imaging in the Ultraviolet (UV) Regime. Silicon. Silicon Dioxide. Si-SiO2 Interface. General Effects of Radiation. Effects of Radiation on CCDs. UV-Induced Effects in Si. UV Laser Induced Effects in SiO2. UV Laser Induced Effects at the Si-SiO2 Interface. CCD Measurements at 157nm. Design Optimizations for Future Research. Concluding Remarks |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Autre format:
CCD image sensors in deep-ultraviolet |
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