Nantilus
Dépôt de couches minces par plasma pulsé radiofréquence et basse pression en mélange hexaméthyldisiloxane / oxygène
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), à basse pression (3mTorr) et basse température (< 100°C), en plasma pulsé (10Hz-1kHz) d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO)/ oxygène dans un réacteur hélicon radiofréquence. La cinétique...
| Auteurs principaux : | , , |
|---|---|
| Collectivités auteurs : | , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Dépôt de couches minces par plasma pulsé radiofréquence et basse pression en mélange hexaméthyldisiloxane / oxygène / Angélique Bousquet; Agnès Granier, directeur de thèse ; Antoine Goullet, co-directeur |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 2005 |
| Description matérielle : | 1 vol. (233 p.) |
| Note de thèse : | Thèse doctorat : Sciences des matériaux. plasmas et couches minces : Nantes : 2005 |
| Disponibilité : | Pu blication autorisée par le jury |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
Dépôt de couches minces par plasma pulsé radiofréquence et basse pression en mélange hexaméthyldisiloxane / oxygène |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication |
| Résumé : | L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), à basse pression (3mTorr) et basse température (< 100°C), en plasma pulsé (10Hz-1kHz) d'hexaméthyldisiloxane (HMDSO)/ oxygène dans un réacteur hélicon radiofréquence. La cinétique des espèces chargées et de certaines espèces neutres actives est déterminée à partir de mesures résolues en temps par sonde de Langmuir et spectroscopie d'émission optique. La caractérisation des dépôts par ellipsométrie, absorption infraouge et gravimétrie montre que des films inorganiques (SiO2) ou organiques (SiOxCyHz) peuvent être obtenus avec un même mélange de gaz suivant les paramètres de pulse. La structure et la vitesse de dépôt sont liées au temps de création et de perte des atomes d'oxygène. La réduction du bombardement ionique lors du dépôt en plasma pulsé permet de réduire les contraintes en compression et d'améliorer les propriétés électriques des films de SiO2. This work concerns the Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) of thin films, at low pressure (3mTorr) and low temperature (<100°C), in Hexamethyldisiloxane (HMDSO)/ oxygen pulsed plasmas in a radiofrequency helicon reactor. The kinetics of charged species and of some neutral active species is investigated by Langmuir probe and optical emission spectroscopy time-resolved measurements. The film analysis by ellipsometry, infrared spectroscopy and gravimetry shows inorganic SiO2-like and plasma polymers SiOxCyHz films can be deposited with a fixed gas mixture depending on the pulse parameters. The structure and deposition rate are linked to the creation and loss times of oxygen atoms. The reduction of ion bombardment in pulsed plasma also allows to reduce the compressive stress and to improve the electrical properties of SiO2-like films, as demonstrated by nano-indentation, Newton's ring method, and C(V) and I(V) measurements on MOS structure. |
|---|---|
| Bibliographie : | Bibliographie p. 215-229 |