Oxy-gallates et oxy-germanates de terres rares conducteurs par ions oxygène

De nouveaux conducteurs anioniques dérivés de Nd4Ga2O9, Nd4GeO8 et Nd3GaO6, ont été obtenus par substitutions cationiques. Les oxy-Cuspidine Nd4[Ga2(1-x)M2xO7+x 1-x]O2 (M=Ge,Ti) ont été préparées par diverses techniques. Avec la substitution, la structure Cuspidine est maintenue jusqu'à x=0,5 e...

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Auteur principal : Chesnaud Anthony (Auteur)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), Université de Nantes Faculté des sciences et des techniques (Autre partenaire associé à la thèse), École doctorale chimie biologie Nantes ....-2008 (Ecole doctorale associée à la thèse)
Autres auteurs : Piffard Yves (Directeur de thèse), Joubert Olivier (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Oxy-gallates et oxy-germanates de terres rares conducteurs par ions oxygène / Anthony Chesnaud; Yves Piffard, directeur de thèse , Olivier Joubert, co-encadrant
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 2005
Description matérielle : 1 vol. (212 p.)
Note de thèse : Thèse doctorat : Science des matériaux, physicochimie du solide : Nantes : 2005
Disponibilité : Publication autorisée par le jury
Sujets :
Description
Résumé : De nouveaux conducteurs anioniques dérivés de Nd4Ga2O9, Nd4GeO8 et Nd3GaO6, ont été obtenus par substitutions cationiques. Les oxy-Cuspidine Nd4[Ga2(1-x)M2xO7+x 1-x]O2 (M=Ge,Ti) ont été préparées par diverses techniques. Avec la substitution, la structure Cuspidine est maintenue jusqu'à x=0,5 et 1,0 pour M=Ge et Ti respectivement. Dans les deux cas, une modulation 1D de la structure est observée pour x 0,15 mais l'effet du substituant sur la conductivité anionique est différent : Ti joue un rôle assez neutre alors que Ge l'améliore. De nouveaux composés ont aussi été préparés par substitution de Ge4+ par Ga3+ dans Nd4GeO8, de Ga3+ par Zn2+, Mg2+, et de Nd3+ par Ca2+, Sr2+ dans Nd3GaO6. Une technique d'auto-combustion a été développée pour synthétiser ces matériaux à 900C̊. Il est possible de créer 10% de lacunes d'oxygène dans Nd4GeO8 et moins de 1% dans Nd3GaO6. Cependant, ces taux de substitution relativement faibles induisent une nette augmentation de la conductivité.
Bibliographie : Bibliographie en fin de chapitre