Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
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Autres auteurs : | |
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Format : | Livre |
Langue : | français |
Titre complet : | Interrupteurs électroniques de puissance / sous la direction de Robert Perret |
Publié : |
Paris :
Hermès Science publ.
, impr. 2003 Lavoisier |
Description matérielle : | 1 vol. (326 p.) |
Collection : | Traité EGEM Génie électrique |
Titre de l'ensemble : | Traité EGEM |
Sujets : | |
Documents associés : | Autre format:
Interrupteurs électroniques de puissance |
LEADER | 02362cam a2200517 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | PPN072878835 | ||
003 | http://www.sudoc.fr/072878835 | ||
005 | 20230124060800.0 | ||
010 | |a 2-7462-0671-4 |b rel. | ||
035 | |a (OCoLC)154657455 | ||
073 | 1 | |a 9782746206717 | |
100 | |a 20030626h20032003k y0frey0103 ba | ||
101 | 0 | |a fre |2 639-2 | |
102 | |a FR | ||
105 | |a a a 001yy | ||
106 | |a r | ||
181 | |6 z01 |c txt |2 rdacontent | ||
181 | 1 | |6 z01 |a i# |b xxxe## | |
182 | |6 z01 |c n |2 rdamedia | ||
182 | 1 | |6 z01 |a n | |
183 | |6 z01 |a nga |2 RDAfrCarrier | ||
200 | 1 | |a Interrupteurs électroniques de puissance |f sous la direction de Robert Perret | |
210 | |a Paris |c Hermès Science publ. |c Lavoisier |d impr. 2003 | ||
215 | |a 1 vol. (326 p.) |c ill., fig. |d 25 cm | ||
225 | 1 | |a Traité EGEM |e électronique, génie électrique, microsystèmes |i Génie électrique | |
320 | |a Bibliogr. en fin de chapitres. Index | ||
330 | |a Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique | ||
452 | | | |0 182207617 |t Interrupteurs électroniques de puissance |f sous la direction de Robert Perret |c Paris |n Lavoisier |d cop. 2003 |s Traité EGEM |y 978-2-74-620671-7 | |
461 | | | |t Traité EGEM |o électronique, génie électrique, microsystèmes |i Génie électrique | |
606 | |3 PPN033344906 |a Interrupteurs à semiconducteurs |2 rameau | ||
606 | |3 PPN153610662 |a Transistors bipolaires à grille isolée |2 rameau | ||
606 | |3 PPN027675521 |a MOS (électronique) |2 rameau | ||
606 | |3 PPN027330354 |a Électronique de puissance |2 rameau | ||
606 | |3 PPN027675513 |a Transistors de puissance |2 rameau | ||
675 | |a 621.314 | ||
676 | |a 621.381 5 |v 21 | ||
702 | 1 | |3 PPN030487609 |a Perret |b Robert |f 1941-.... |c auteur en génie électrique |4 651 | |
801 | 3 | |a FR |b Abes |c 20221102 |g AFNOR | |
979 | |a STN | ||
915 | |5 441842101:187243972 |b 0100131018 | ||
915 | |5 441092220:44082852X |b 10056 | ||
930 | |5 441842101:187243972 |b 441842101 |j u | ||
930 | |5 441092220:44082852X |b 441092220 |j s | ||
991 | |5 441092220:44082852X |a exemplaire créé automatiquement par l'ABES | ||
991 | |5 441092220:44082852X |a Exemplaire modifié automatiquement. le 23-01-2023 16:00 | ||
998 | |a 29723 |