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Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
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| Autres auteurs : | |
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| Format : | Livre |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Interrupteurs électroniques de puissance / sous la direction de Robert Perret |
| Publié : |
Paris :
Hermès Science publ.
, impr. 2003 Lavoisier |
| Description matérielle : | 1 vol. (326 p.) |
| Collection : | Traité EGEM Génie électrique |
| Titre de l'ensemble : | Traité EGEM |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Autre format:
Interrupteurs électroniques de puissance |
| Résumé : | Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique |
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| Bibliographie : | Bibliogr. en fin de chapitres. Index |
| ISBN : | 2-7462-0671-4 |