Table des matières: GaAs semi-isolant : nouvelles données de résonance paramagnétique électronique

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Auteur principal :	Benchiguer Taha
Format :	Thèse ou mémoire
Langue :	français
Titre complet :	GaAs semi-isolant : nouvelles données de résonance paramagnétique électronique
Publié :	1994
Description matérielle :	148 p
Note de thèse :	Th. : Sci. : U. Louis Pasteur (STRASBOURG I) : 1995 ; 1758 Physique des matériaux
Sujets :	Semiconducteurs composés, défauts, caractérisation physico-chimique Semiconducteurs III-V Arséniure de gallium (GaAs) Phosphure de gallium (GaP) RPE (Résonance Paramagnétique Electronique) Photoconductivité Dopage par transmutation neutronique (NDT - Neutron Transmutation Doping) Photo-extinction (signal antisite)

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