Affichage MARC: Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium

Détails bibliographiques
Autres auteurs :	Gautier Jacques (Directeur de publication)
Format :	Livre
Langue :	français
Titre complet :	Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium / [sous la dir. de] Jacques Gautier
Publié :	Paris : Lavoisier , 2003 Hermes science publ.
Description matérielle :	367 p.
Collection :	EGEM Série électronique et micro-électronique
Sujets :	Semiconducteurs MOS (électronique) Technologie silicium sur isolant Transistors MOSFET Circuits intégrés bipolaires Silicium


LEADER	01343cam a2200325 4500
001	PPN071503897
005	20201208055200.0
010			\|a 2-7462-0658-7 \|b br.
100			\|a 20030602h20032003k y1frey0103 ba
101	0		\|a fre \|e fre \|f fre
102			\|a FR
105			\|a y z 001yy
106			\|a r
200	1		\|a Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium \|b Texte imprimé \|f [sous la dir. de] Jacques Gautier
210			\|a Paris \|c Lavoisier \|c Hermes science publ. \|d 2003
215			\|a 367 p. \|d 25 cm
225	0		\|a Traité EGEM \|e électronique-génie électrique-microsystèmes \|i Electronique et micro-électronique
320			\|a Bibliogr. en fin de chapitres. Index
410		\|	\|0 068749171 \|t EGEM \|i Série électronique et micro-électronique \|b Texte imprimé \|c Paris \|n Hermès science publications \|d 2002-
606			\|3 PPN027282570 \|a Semiconducteurs \|2 rameau
606			\|3 PPN027675521 \|a MOS (électronique) \|2 rameau
606			\|3 PPN031438504 \|a Technologie silicium sur isolant \|2 rameau
606			\|3 PPN033358540 \|a Transistors MOSFET \|2 rameau
606			\|3 PPN027760421 \|a Circuits intégrés bipolaires \|2 rameau
606			\|3 PPN027806839 \|a Silicium \|2 rameau
676			\|a 621.381 528 4 \|v 21
702		1	\|3 PPN073297445 \|a Gautier \|b Jacques \|4 651
801		3	\|a FR \|b Abes \|c 20040213 \|g AFNOR
930			\|5 441092105:199126976 \|b 441092105 \|j u
998			\|a 29725