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Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium
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| Autres auteurs : | |
|---|---|
| Format : | Livre |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium / [sous la dir. de] Jacques Gautier |
| Publié : |
Paris :
Lavoisier
, 2003 Hermes science publ. |
| Description matérielle : | 367 p. |
| Collection : | EGEM Série électronique et micro-électronique |
| Sujets : |
| LEADER | 01343cam a2200325 4500 | ||
|---|---|---|---|
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| 200 | 1 | |a Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium |b Texte imprimé |f [sous la dir. de] Jacques Gautier | |
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| 215 | |a 367 p. |d 25 cm | ||
| 225 | 0 | |a Traité EGEM |e électronique-génie électrique-microsystèmes |i Electronique et micro-électronique | |
| 320 | |a Bibliogr. en fin de chapitres. Index | ||
| 410 | | | |0 068749171 |t EGEM |i Série électronique et micro-électronique |b Texte imprimé |c Paris |n Hermès science publications |d 2002- | |
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| 606 | |3 PPN027675521 |a MOS (électronique) |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN031438504 |a Technologie silicium sur isolant |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN033358540 |a Transistors MOSFET |2 rameau | ||
| 606 | |3 PPN027760421 |a Circuits intégrés bipolaires |2 rameau | ||
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