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Étude des propriétés de surface des cristaux ferroélectriques de T.G.S., de NaNO2 et de G.A.S.H
L'étude de la structure en domaines en fonction du temps et de la température sur les cristaux de t. G. S. Pur ou dope nous a permis de montrer que la structure est plus stable dans le cas des cristaux dopes. Sous l'action d'un champ électrique e continu applique aux cristaux de l-a....
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| Auteurs principaux : | , |
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| Collectivités auteurs : | , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Étude des propriétés de surface des cristaux ferroélectriques de T.G.S., de NaNO2 et de G.A.S.H / Benaïssa Abboud; sous la direction de R. Le Bihan |
| Publié : |
1992 |
| Description matérielle : | 1 vol. (123 f.) |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Physique : Nantes : 1992 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
ETUDE DES PROPRIETES DE SURFACE DES CRISTAUX FERROELECTRIQUES DE T.G.S., NANO#2 ET G.A.S.H |
| Résumé : | L'étude de la structure en domaines en fonction du temps et de la température sur les cristaux de t. G. S. Pur ou dope nous a permis de montrer que la structure est plus stable dans le cas des cristaux dopes. Sous l'action d'un champ électrique e continu applique aux cristaux de l-a. T. G. S. Nous avons montre la relation existant entre le temps d'inversion t et le champ d'activation : 1/t=1/t# e#-##/#e 1 ce temps t est plus grand dans le cas d'un mono domaine positif. A partir de ces résultats, nous avons trouvé que le champ d'activation diminue quand l'épaisseur du cristal augmente et il est plus élevé pour des cristaux irradies aux rayons x. Cette étude nous a conduit à élaborer des procédés de création de structure en domaines désirées en particulier des structures bi domaines qui sont restées stables plusieurs jours et qui peuvent être utiles à d'autres fins. L'étude au m. E. B. Des cristaux de t. G. S. Irradies aux rayons x nous a montré que la nucléation s'effectue parallèlement à la direction 001; l'étude en température de ces cristaux (en utilisant les c. L. N.) nous a montré que la structure en domaines est affectée, par un traitement thermique mais que ces cristaux retrouvent après un certain temps leur structure initiale. Nous avons également étudié les domaines de nano#2 en fonction du temps et du champ électrique applique. L'étude en fonction du temps a permis de vérifier que les domaines de nano#2 sont des bandes orientées parallèlement à l'axe c. Lors de l'application d'un champ électrique continu il y a apparition de parois de domaines parallèles aux plans (101) et (101). Le temps d'inversion t de la polarisation spontanée et le camp électrique appliqué e vérifient l'équation 1. Cette étude nous a permis de démontrer que le champ d'activation de ce cristal est relativement grand comparativement a ceux tu t. G. S pur ou dope et que leurs valeurs augmentent dans la partie i de la courbe et décroissent dans la partie ii lorsque l'épaisseur de l'échantillon diminue. En utilisant la méthode de Kelvin-Zisman, la différence des travaux de sortie entre les extrémités des domaines antiparallèles a été mesurée. On a mesure pour les cristaux de t. G. S. , une différence allant jusqu'a 5 ev, et 1,1 ev pour les cristaux de g. A. S. H. Ces mesures ont été effectuées sur des cristaux fraichement clives à l'air de gaz inerte; le travail de sortie de l'extrémité positive du domaine est supérieur a celui de domaine négatif et leur différence va en diminuant en fonction du temps. |
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| Variantes de titre : | Surface properties study of ferroelectrics TGS, nano#2 and GASH crystals |
| Bibliographie : | Bibliogr. 87 réf. |