ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER

ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER

L'ALLIAGE SI#1##XGE#X OFFRE DES DEGRES DE LIBERTE (CONCENTRATION EN GE, ETAT DE CONTRAINTE) PERMETTANT D'OPTIMISER LES STRUCTURES DE BANDE EN VUE DE L'ELABORATION DE DISPOSITIFS MICRO- ET OPTO ELECTRONIQUES. DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL DE THESE, UNE METHODE DE FABRICATION DE CET ALLIA...

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Détails bibliographiques
Auteur principal : Repplinger Florence (Auteur)
Collectivité auteur : Université Louis Pasteur Strasbourg 1971-2008 (Organisme de soutenance)
Autres auteurs : Siffert Paul (Directeur de thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER / FLORENCE REPPLINGER; SOUS LA DIRECTION DE PAUL SIFFERT
Publié : [S.l.] : [s.n.] , 1994
Description matérielle : 182 P.
Note de thèse : Thèse de doctorat : Physique : Strasbourg 1 : 1994
Sujets :
PHYSIQUE : SCIENCES DES MATERIAUX, RHEOLOGIE
ETUDE EXPERIMENTALE/PREPARATION CHIMIQUE/CROISSANCE CRISTALLINE/IMPLANTATION ION/RECUIT/EFFET PHYSIQUE RAYONNEMENT/RAYONNEMENT LASER/POLYCRISTAL/MONOCRISTAL/SPECTRE RAMAN/RBS/SEMICONDUCTEUR ALLIAGE/SILICIUM ALLIAGE/GERMANIUM ALLIAGE/ALLIAGE BINAIRE/SI1XGEX/GE SI/8115N/PAC
EXPERIMENTAL STUDY/CHEMICAL PREPARATION/CRYSTAL GROWTH/ION IMPLANTATION/ANNEALING/PHYSICAL RADIATION EFFECTS/LASER RADIATION/POLYCRYSTALS/MONOCRYSTALS/RAMAN SPECTRA/RBS/SEMICONDUCTOR ALLOYS/SILICON ALLOYS/GERMANIUM ALLOYS/BINARY ALLOYS
Thèses et écrits académiques
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Résumé : L'ALLIAGE SI#1##XGE#X OFFRE DES DEGRES DE LIBERTE (CONCENTRATION EN GE, ETAT DE CONTRAINTE) PERMETTANT D'OPTIMISER LES STRUCTURES DE BANDE EN VUE DE L'ELABORATION DE DISPOSITIFS MICRO- ET OPTO ELECTRONIQUES. DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL DE THESE, UNE METHODE DE FABRICATION DE CET ALLIAGE DIFFERENTE DES METHODES DE DEPOT HABITUELLES A ETE ETUDIEE. DE FORTES DOSES DE GERMANIUM (10#1#7 AT/CM#2) ONT ETE IMPLANTEES DANS UN SUBSTRAT DE SI CRISTALLIN OU UNE COUCHE DE SI AMORPHE DEPOSEE SUR SIO#2. LE MATERIAU A ETE REORGANISE SOIT EN PHASE LIQUIDE (TRAITEMENT PAR LASER A EXCIMERE PULSE ARF OU XECL) SOIT EN PHASE SOLIDE (RECUIT THERMIQUE CLASSIQUE). DES ANALYSES PAR FAISCEAU D'IONS COMBINEES A DES CARACTERISATIONS OPTIQUES ONT MONTRE QU'EN OPTIMISANT LES CONDITIONS DE PREPARATION, IL EST POSSIBLE D'OBTENIR DES COUCHES D'ALLIAGE POLYCRISTALLINES SUR SIO#2 OU MONOCRISTALLINES DE BONNE QUALITE CONTRAINTES SUR SUBSTRAT SI (10%
Variantes de titre : PREPARATION AND STRUCTURAL PROPERTIES OF THIN SI#1##XGE#X FILMS GROWN BY THERMAL OR LASER ANNEALING OF HEAVILY GERMANIUM IMPLANTED SILICON
Notes : 1994STR13110
Bibliographie : 143 REF.