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Caractérisation optique, électrique et physico-chimique du sélénium polycristallin en couches minces et des interfaces métal-sélénium (M = Ni, Al, Te)
Les propriétés des couches minces polycristallines de sélénium hexagonal pures ou dopées par un halogène (iode ou chlore) déposées par évaporation thermique classique ont été étudiées en fonction de la température du substrat lors du dépôt, de la nature du substrat et du dopage des couches. Les effe...
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| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Collectivités auteurs : | , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Caractérisation optique, électrique et physico-chimique du sélénium polycristallin en couches minces et des interfaces métal-sélénium (M = Ni, Al, Te) / Rochdi Messoussi; sous la direction de Jean-Christian Bernède |
| Publié : |
1990 |
| Description matérielle : | 1 vol. (VII-108 f.) |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : Physique : Nantes : 1990 |
| Sujets : | |
| Documents associés : | Reproduit comme:
CARACTERISATIONS OPTIQUE, ELECTRIQUE ET PHYSICO-CHIMIQUE DU SELENIUM POLYCRISTALLIN EN COUCHES MINCES ET DES INTERFACES METAL-SELENIUM (M=NI, AL, TE) |
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| 330 | |a Les propriétés des couches minces polycristallines de sélénium hexagonal pures ou dopées par un halogène (iode ou chlore) déposées par évaporation thermique classique ont été étudiées en fonction de la température du substrat lors du dépôt, de la nature du substrat et du dopage des couches. Les effets des recuits sur les propriétés structurales et optiques de couches minces de sélénium pur ou dopé à l'iode sont étudiés par diffraction de rayons x, microscopie à balayage, spectroscopie de photoélectrons (xps), spectroscopie Raman et transmission optique. Parallèlement l'évolution de l'épaisseur et du poids des couches en fonction de la température et de la durée du recuit est contrôlée. Dans le cas des couches dopées à l'iode, les modifications des propriétés optiques sont dues à une coalescence des microcristallites, facilitée par la sublimation de l'iode présent dans les couches. La température de seuil nécessaire pour modifier la morphologie des couches de sélénium, avec formation de trous, est abaissée par la présence d'iode dans les couches. La résistance électrique est contrôlée par conduction par sauts aux basses températures (80-190k) et par diffusion au niveau des joints de grains aux températures supérieures. Il est montré que le phénomène de saut, le plus probable, est celui contrôle par l'interaction électrostatique entre les électrons localisés dans la bande interdite. Les analyses xps en fonction du temps de décapage des interfaces, couche mince de sélénium/couche mince de métal (nickel, aluminium, tellure) ont montré qu'il n'y a aucune formation de composés métal-sélénium, la surface du métal étant passivée par la formation d'oxyde. Les caractéristiques i-v de structures ni/se/cr et bi/se/cr peuvent être bien décrites par la théorie classique de transport dans les jonctions Schottky: j exp (qv/nkt) avec n=1,1 et 1,5 respectivement. La détermination de la hauteur de barri | ||
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