NantilusETUDES PAR MICROCARACTERISATIONS DES DEFAUTS INDUITS DANS PLUSIEURS MATERIAUX SEMICONDUCTEURS PAR IRRADIATIONS UV, PROCHE IR ET IR
LE DEVELOPPEMENT DE LASERS IMPULSIONNELS DE HAUTE DENSITE DE PUISSANCE PERMET D'ENVISAGER DE NOUVELLES APPLICATIONS QUANT A L'IRRADIATION DES MATERIAUX. CE TRAVAIL VISE A MIEUX DETEMINER LES DEFAUTS MORPHOLOGIQUES, STRUCTURAUX ET CHIMIQUES INDUITS DANS CERTAINS SEMICONDUCTEURS EN REALISANT...
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| Auteur principal : | |
|---|---|
| Autres auteurs : | |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | ETUDES PAR MICROCARACTERISATIONS DES DEFAUTS INDUITS DANS PLUSIEURS MATERIAUX SEMICONDUCTEURS PAR IRRADIATIONS UV, PROCHE IR ET IR / VALERIE PEROCHEAU; SOUS LA DIRECTION DE SERGE LEFRANT |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1997 |
| Description matérielle : | 150 P. |
| Note de thèse : | Thèse de doctorat : PHYSIQUE : Nantes : 1997 |
| Sujets : |
| LEADER | 03588cam a22004571i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | PPN043713084 | ||
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| 029 | |a FR |b 1997NANT2065 | ||
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| 328 | 0 | |b Thèse de doctorat |c PHYSIQUE |e Nantes |d 1997 | |
| 330 | |a LE DEVELOPPEMENT DE LASERS IMPULSIONNELS DE HAUTE DENSITE DE PUISSANCE PERMET D'ENVISAGER DE NOUVELLES APPLICATIONS QUANT A L'IRRADIATION DES MATERIAUX. CE TRAVAIL VISE A MIEUX DETEMINER LES DEFAUTS MORPHOLOGIQUES, STRUCTURAUX ET CHIMIQUES INDUITS DANS CERTAINS SEMICONDUCTEURS EN REALISANT UNE CARACTERISATION MICROSCOPIQUE. PLUSIEURS MATERIAUX ONT ETE ANALYSES : LES DECOMPOSITIONS DU SIC PAR UN LASER KRF (248 NM), DE L'ALN PAR UN LASER XECL (308 NM), LES DIVERS ENDOMMAGEMENTS PRODUITS SUR DU ZNSE PAR UN LASER A CO#2 (10,6 M), DU GE ET DU ZNS PAR UN LASER ND : VERRE (1,06 M). LES ETUDES ONT ETE REALISEES GRACE A DIVERSES METHODES D'ANALYSE DE SURFACE, DONT LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE (MEB), LA SPECTROMETRIE DE DISPERSION DES PHOTONS X (EDX) ET LA SPECTROMETRIE DES PHOTOELECTRONS EN RAYONS X (XPS). LA SPECTROMETRIE DE DIFFUSION RAMAN A PERMIS DE DETERMINER LES MODIFICATIONS STRUCTURALES DES MATERIAUX, DONT LES PHENOMENES D'AMORPHISATION, DE VARIATION DE CONTRAINTES DANS LE RESEAU. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LES PARAMETRES SPECIFIQUES DES RAIES RAMAN (FREQUENCE, LARGEUR A MI-HAUTEUR ET INTENSITE) QUI EVOLUENT AVEC LA FLUENCE D'IRRADIATION ET/OU AVEC LA REPARTITION SPATIALE DE L'ENERGIE DU FAISCEAU LASER. ENFIN, NOUS DISCUTONS LES PROCESSUS (THERMIQUES, MECANIQUES, ELECTRIQUES, CHIMIQUES, ...) MIS EN JEU AU COURS DE L'IRRADIATION ET QUI SONT A L'ORIGINE DE CES MODIFICATIONS. | ||
| 517 | | | |a MICROCHARACTERIZATION STUDIES OF DEFECTS INDUCED IN SEVERAL SEMICONDUCTING MATERIALS BY UV, NEAR IR AND IR IRRADIATION |z eng | |
| 610 | 1 | |a PHYSIQUE : ETAT CONDENSE : PROPRIETES MECANIQUES ET THERMIQUES | |
| 610 | 2 | |a ETUDE EXPERIMENTALE/EFFET PHYSIQUE RAYONNEMENT/FAISCEAU LASER/RAYONNEMENT UV/RAYONNEMENT IR/MATERIAU SEMICONDUCTEUR/ALUMINIUM NITRURE/ZINC SULFURE/ZINC SELENIURE/SILICIUM CARBURE/GERMANIUM/SPECTRE RAMAN/CONTRAINTE/AMORPHISATION/LASER PULSE/6180B/PAC/GE/ALN/AL N/ZNS/S ZN/ZNSE/SE ZN/SIC/C SI | |
| 610 | 2 | |a EXPERIMENTAL STUDY/PHYSICAL RADIATION EFFECTS/LASER BEAMS/ULTRAVIOLET RADIATION/INFRARED RADIATION/SEMICONDUCTOR MATERIALS/ALUMINIUM NITRIDES/NK/ZINC SULFIDES/NK/ZINC SELENIDES/NK/SILICON CARBIDES/NK/GERMANIUM/NC/RAMAN SPECTRA/STRESSES/AMORPHIZATION/PULSED LASERS | |
| 686 | |a 001.B.60.A.80.B |2 tlt | ||
| 700 | 1 | |a Perocheau |b Valérie |4 070 | |
| 702 | 1 | |a Lefrant |b Serge |4 727 | |
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| 919 | |5 441092104:180653253 |a 1160922579 | ||
| 930 | |5 441092104:180653245 |b 441092104 |a 97 NANT 2065 |j u | ||
| 930 | |5 441092104:180653253 |b 441092104 |a 97 NANT 2065 |j u | ||
| 979 | |a SCI | ||
| 998 | |a 129884 | ||