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ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES ET CRISTALLOGRAPHIQUES DES COUCHES MINCES DE AG : :(2-X)SE::(1+X). CARACTERISATION DU CONTACT AG::(2-X)SE::(1+X)/SI::(N)
DANS CE MEMOIRE EST ETUDIEE L'INFLUENCE D'UN EXCES DE SELENIUM DE 1 A 5% DANS DES COUCHES MINCES DE SELENIURE D'ARGENT. UNE NOUVELLE TRANSITION INTERVIENT AVEC PASSAGE D'UN ETAT METALLIQUE AUX TEMPERATURES INFERIEURES VERS L'ETAT SEMICONDUCTEUR CLASSIQUE AUX TEMPERATURES INT...
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| Auteur principal : | |
|---|---|
| Collectivité auteur : | |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES ET CRISTALLOGRAPHIQUES DES COUCHES MINCES DE AG : :(2-X)SE::(1+X). CARACTERISATION DU CONTACT AG::(2-X)SE::(1+X)/SI::(N) / BACHIR EL BOUCHAIRI |
| Publié : |
[S.l.] :
[s.n.]
, 1982 |
| Description matérielle : | 99 P. |
| Note de thèse : | Thèse de 3e cycle : Sciences appliquées. Physique : Nantes : 1982 |
| Sujets : | |
| Particularités de l'exemplaire : | BU Sciences, Ex. 1 : Titre temporairement indisponible à la communication BU Sciences, Ex. 2 : Titre temporairement indisponible à la communication |
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| 330 | |a DANS CE MEMOIRE EST ETUDIEE L'INFLUENCE D'UN EXCES DE SELENIUM DE 1 A 5% DANS DES COUCHES MINCES DE SELENIURE D'ARGENT. UNE NOUVELLE TRANSITION INTERVIENT AVEC PASSAGE D'UN ETAT METALLIQUE AUX TEMPERATURES INFERIEURES VERS L'ETAT SEMICONDUCTEUR CLASSIQUE AUX TEMPERATURES INTERMEDIAIRES. CE NOUVEL ETAT DE TYPE METALLIQUE EST EXPLIQUE PAR LE DESORDRE DU A UN MELANGE DE PLUSIEURS STRUCTURES CRISTALLINES. LA TRANSITION EST LIEE A LA TRANSFORMATION DE CES DIVERSES STRUCTURES EN UNE STRUCTURE CRISTALLINE UNIQUE. DANS LA DEUXIEME PARTIE, L'ETUDE DES PROPRIETES DU CONTACT AG::(2-1)SE::(1+X)SI::(N) MONTRE QUE DANS LE CAS OU AG::(2)SE EST DE TYPE METALLIQUE, LE COMPORTEMENT DE LA JONCTION EST SEMBLABLE A CELUI D'UNE DIODE SCHOTTKY. LES MEILLEURS RESULTATS SONT OBTENUS POUR DES STRUCTURES DE TYPE MIS AVEC UNE HAUTEUR DE BARRIERE DE 0,85 EV | ||
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