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Phénomènes d'interfaces métal / S.C.A. induits par la présence de tellure dans les chalcogénures semiconducteurs amorphes
Résumé des différentes théories de la conduction dans les semiconducteurs amorphes (S.C.A.) et revue des modèles pour expliquer les phénomènes de commutation et de mémorisation dans ce type de matériau. Revue des phénomènes regroupés sous le terme de "processus de formation" et des anomali...
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| Auteurs principaux : | , |
|---|---|
| Collectivités auteurs : | , |
| Format : | Thèse ou mémoire |
| Langue : | français |
| Titre complet : | Phénomènes d'interfaces métal / S.C.A. induits par la présence de tellure dans les chalcogénures semiconducteurs amorphes / Yann Trégouët; [sous la direction de] Guy Goureaux |
| Publié : |
[Lieu de publication inconnu] :
[Éditeur inconnu]
, 1980 |
| Description matérielle : | 157 p |
| Note de thèse : | Thèse d'État : Sciences appliquées. Physique : Nantes : 1980 |
| Sujets : |
Sciences appliquees
> Physique
> Electronique
> Etat condense
> Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Contact electrique
> Contact metal semiconducteur
> Conduction electrique
> Semiconducteur
> Etat amorphe
> Commutation
> Memoire
> Conductivite electrique
> Tellure
|
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| 330 | |a Résumé des différentes théories de la conduction dans les semiconducteurs amorphes (S.C.A.) et revue des modèles pour expliquer les phénomènes de commutation et de mémorisation dans ce type de matériau. Revue des phénomènes regroupés sous le terme de "processus de formation" et des anomalies signalées par différents auteurs. Description des techniques utilisées. Utilisation du microscope électronique et électrotechnique à balayage pour la microanalyse des rayons X en rétrodiffusion. Résultats de mesure sur des structures M-Te43 Se50 Sn7-M. Résultats expérimentaux concernant les contacts métal-tellurure et métal-tellurure. Description des modèles phénoménologiques qui rendent compte des propriétés observées aux contacts Ag-Te et Au-Te | ||
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