Phénomènes d'interfaces métal / S.C.A. induits par la présence de tellure dans les chalcogénures semiconducteurs amorphes

Phénomènes d'interfaces métal / S.C.A. induits par la présence de tellure dans les chalcogénures semiconducteurs amorphes

Résumé des différentes théories de la conduction dans les semiconducteurs amorphes (S.C.A.) et revue des modèles pour expliquer les phénomènes de commutation et de mémorisation dans ce type de matériau. Revue des phénomènes regroupés sous le terme de "processus de formation" et des anomali...

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Auteurs principaux : Trégouët Yann (Auteur), Goureaux Guy (Directeur de thèse)
Collectivités auteurs : Université de Nantes 1962-2021 (Organisme de soutenance), Université de Nantes Faculté des sciences et des techniques (Autre partenaire associé à la thèse)
Format : Thèse ou mémoire
Langue : français
Titre complet : Phénomènes d'interfaces métal / S.C.A. induits par la présence de tellure dans les chalcogénures semiconducteurs amorphes / Yann Trégouët; [sous la direction de] Guy Goureaux
Publié : [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 1980
Description matérielle : 157 p
Note de thèse : Thèse d'État : Sciences appliquées. Physique : Nantes : 1980
Sujets :
Semiconducteurs amorphes
Tellure
Microscopie électronique > Technique
Sciences appliquees > Physique > Electronique > Etat condense > Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Contact electrique > Contact metal semiconducteur > Conduction electrique > Semiconducteur > Etat amorphe > Commutation > Memoire > Conductivite electrique > Tellure
Electrical conduction > Semiconductor > Amorphous state > Computer storage > Electrical conductivity > Tellurium
Thèses et écrits académiques
Description
Résumé : Résumé des différentes théories de la conduction dans les semiconducteurs amorphes (S.C.A.) et revue des modèles pour expliquer les phénomènes de commutation et de mémorisation dans ce type de matériau. Revue des phénomènes regroupés sous le terme de "processus de formation" et des anomalies signalées par différents auteurs. Description des techniques utilisées. Utilisation du microscope électronique et électrotechnique à balayage pour la microanalyse des rayons X en rétrodiffusion. Résultats de mesure sur des structures M-Te43 Se50 Sn7-M. Résultats expérimentaux concernant les contacts métal-tellurure et métal-tellurure. Description des modèles phénoménologiques qui rendent compte des propriétés observées aux contacts Ag-Te et Au-Te
Bibliographie : 109 réf. bibl