|
|
|
|
LEADER |
01592cam a2200457 4500 |
001 |
PPN008008450 |
005 |
20170104032500.0 |
010 |
|
|
|a 2-604-00002-4
|b éd. complète
|
010 |
|
|
|a 2-604-00009-1
|b 1986
|
035 |
|
|
|a 072737522
|
035 |
|
|
|a sib0969807
|
035 |
|
|
|a ocm31060085
|
035 |
|
|
|a DYNIX_BUNAN_332004
|
100 |
|
|
|a 19980107f1986 ||||0frey0103 ba
|
101 |
0 |
|
|a fre
|
102 |
|
|
|a CH
|
105 |
|
|
|a y |||||||||
|
200 |
1 |
|
|a Dispositifs à semiconducteur
|f par Jean-Daniel Chatelain
|
205 |
|
|
|a 3eme éd
|
210 |
|
|
|a Lausanne
|c Presses polytechniques romandes
|d 1986
|
215 |
|
|
|a ix, 321 p
|d 24 cm
|
225 |
2 |
|
|a Traité d'électricité
|v 7
|
300 |
|
|
|a Contient un index
|
300 |
|
|
|a Traité de l'Ecole polytechnique de Lausanne publié sous la dir. de Jacques Neirynck
|
320 |
|
|
|a Bibliogr.: p.303-305. Index
|
461 |
|
| |
|9 70
|t Traité d'électricité de l'école polytechnique fédérale de lausanne
|v 7
|
517 |
| |
|
|a Traité d'électricité de l'école polytechnique fédérale de lausanne
|j 7
|
517 |
| |
|
|a Dispositifs à semiconducteur
|
606 |
|
|
|3 PPN027282570
|a Semiconducteurs
|2 rameau
|
676 |
|
|
|a 621.31
|
680 |
|
|
|a QC611
|
700 |
|
1 |
|3 PPN028598970
|a Chatelain
|b Jean-Daniel
|f 1946-....
|
801 |
|
3 |
|a FR
|b Abes
|c 20050323
|g AFNOR
|
801 |
|
3 |
|a FR
|b SF
|c 20050323
|g AFNOR
|
801 |
|
1 |
|a US
|b OCLC
|c 20050323
|g AACR2
|
801 |
|
2 |
|a FR
|b AUROC
|c 20050323
|g AFNOR
|
915 |
|
|
|5 441842101:180867873
|a 0100019583
|b 0100019583
|
919 |
|
|
|5 441842101:180867873
|a 0100019583
|
930 |
|
|
|5 441842101:180867873
|b 441842101
|a 621 TRA
|j u
|
979 |
|
|
|a STN
|
998 |
|
|
|a 143573
|